اگزینوس ۲۴۰۰ یک پردازندهی پرچمدار خوشنام میباشد، اگرچه در آزمایشها مشخص شد که دمای آن کمی بیشتر از نسل سوم اسنپدارگون ۸ است. حالا به نظر میرسد سامسونگ یک راهحل خنککننده جدید برای تراشههای اگزینوس در آینده در نظر دارد.
بنابر یک گزارش، سامسونگ در حال توسعه تکنولوژی پکیجینگ تراشه جدیدی به نام Fan-Out Wafer-Level Package-HPB یا FOWLP-HPB میباشد. این تکنولوژی شامل اتصال نوعی گرماگیر، به نام بلوک مسیر حرارت (HPB)، به بالای تراشه میشود.
این گزارش ادامه میدهد که این تکنولوژی خنککننده از کامپیوترهای شخصی و سرورها دریافت شده و انتظار میرود که در پردازندههای آینده اگزینوس استفاده شود. همچنین به تازگی ممکن شده است که این تکنولوژی به دلیل ابعاد کوچکتر گوشیهای هوشمند، به کار گرفته شود، که چالش سخت کاهش اندازه این تکنولوژی را نشان میدهد.
گمان میرود که توسعه این تکنولوژی تا سهماهه چهارم ۲۰۲۴ به اتمام میرسد و پس از آن برای تولید انبوه آماده شود. این جدول زمانی نشان میدهد که اگزینوس ۲۵۰۰، که انتظار میرود در برخی از مدلهای گلکسی S25 استفاده شود، تنها به این شرط که توسعه در اوایل سهماهه چهارم به پایان برسد، به این تکنولوژی خنککنندگی جدید مجهز شود.
در آزمایشها اگزینوس ۲۴۰۰ به هنگام کار از نسل سوم اسنپدراگون ۸ حرارت بیشتری تولید کرد. در ضمن، اگزینوس ۲۲۰۰ در سال ۲۰۲۲ حتی بدتر بود و مشکلات جدی در کاهش عملکرد داشت. بنابراین، اگر این تکنولوژی پکیجینگ عملکرد خوبی داشته باشد، ارتقای خوشایندی در تراشههای آینده اگزینوس خواهد بود و راه را برای عملکرد پایدارتر، عمر باتری بهتر و گوشیهای خنکتر هموار میکند.
10th November 24