گزارشی تازه نشان می‌دهد که سامسونگ تصمیم دارد تا تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری مجهز به فناوری GAA را در سال ۲۰۲۵ آغاز کند.
اگرچه بخش ریخته‌گری سامسونگ برای جذب مشتریان به سوی جدیدترین فرآیندهای ساخت تراشه از جمله فرآیند ۳ و ۴ نانومتری با مشکلاتی روبه‌رو بوده است، این شرکت فعالانه با توسعه فناوری‌های پیشرفته‌تر مانند فرآیند ساخت ۲ نانومتری در حال پیشروی است.
طبق گزارش وب‌سایت Gizmochina، این فرایند از نسل بعدی فناوری ترانزیستور (gate-around) GAA بهره می‌برد که انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۵ وارد مرحله تولید انبوه شود. البته سامسونگ فناوری مذکور را در کنفرانس‌های صنعتی آینده به نمایش خواهد گذاشت. فناوری GAA یک طراحی ترانزیستور جدید می‌باشد که با ایجاد جریان بهتر موجب بهبود کارایی و عملکرد می‌شود.
گفتنی است که در ابتدا سامسونگ فناوری GAA را در فرآیند ساخت ۳ نانومتری خود معرفی کرد اما تا به حال تنها پردازنده‌های اگزینوس این شرکت از آن بهره برده‌اند. نسل اول تراشه‌های ۳ نانومتری فناوری GAA در مقایسه با تراشه‌های ۵ نانومتری پیشرفت‌های چشمگیری در زمینه کاهش مساحت، عملکرد و بهره‌وری انرژی ارائه می‌دهند.
پیش‌بینی می‌شود که سامسونگ تصمیم دارد تا تراشه‌های مجهز به نسل دوم فناوری ۳ نانومتری GAA را در اواخر سال ۲۰۲۴ وارد مرحله تولید انبوه کند؛ انتظار می‌رود که این فناوری پیشرفت‌های بهتری را به ارمغان آورد. در حالی که شرکت TSMC به عنوان رقیب سامسونگ هنوز از فناوری GAA استفاده نکرده است، انتظار می‌رود هردوی این شرکت‌ها به همراه اینتل از این فناوری در فرایند ۲ نانومتری خود استفاده کنند.
8th November 24